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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
6.4
16.5
写入速度,GB/s
3.7
13.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
3040
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
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