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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
69
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
41
读取速度,GB/s
6.4
12.7
写入速度,GB/s
3.7
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
2621
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
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