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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
比较
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
总分
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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规格
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
7.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
7.9
15.9
写入速度,GB/s
7.8
12.0
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3023
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation 16GB
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