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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
比较
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
总分
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
总分
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
71
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
71
读取速度,GB/s
7.9
15.6
写入速度,GB/s
7.8
6.4
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1650
Kingston 9965662-016.A00G 16GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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