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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
71
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
58
读取速度,GB/s
2,831.6
18.3
写入速度,GB/s
1,322.6
8.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2181
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Inmos + 256MB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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