RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
71
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
58
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2181
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link