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Kingston 99C5316-026.A00LF 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
比较
Kingston 99C5316-026.A00LF 1GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
总分
Kingston 99C5316-026.A00LF 1GB
总分
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99C5316-026.A00LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
65
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.5
2,431.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99C5316-026.A00LF 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
45
读取速度,GB/s
3,988.8
10.7
写入速度,GB/s
2,431.2
6.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2142
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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