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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
比较
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
总分
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
总分
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
差异
规格
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
13.9
15.1
写入速度,GB/s
8.9
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2238
2310
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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