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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
11.2
15.0
写入速度,GB/s
7.1
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1936
2272
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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