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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
35
读取速度,GB/s
10.6
14.8
写入速度,GB/s
6.8
11.2
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2336
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
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