RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2336
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link