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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
比较
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
总分
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,769.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
38
读取速度,GB/s
4,482.7
13.4
写入速度,GB/s
1,769.9
10.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2398
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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