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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
58
63
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
58
读取速度,GB/s
8.1
18.3
写入速度,GB/s
7.5
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2181
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM的比较
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
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