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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905663-008.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
3,325.1
14.7
写入速度,GB/s
1,441.2
11.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2815
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
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