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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

総合得点
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    58 left arrow 63
    周辺 -9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    8.1 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1945 left arrow 2181

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9905630-031.A00G 16GB
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メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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