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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
比较
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
总分
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,769.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
4,482.7
15.8
写入速度,GB/s
1,769.9
9.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2510
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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