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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
2,909.8
15.2
写入速度,GB/s
1,519.2
10.2
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2882
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
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Kingston 9905700-047.A00G 16GB
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