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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
比较
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
总分
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
1,769.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
38
读取速度,GB/s
4,482.7
13.8
写入速度,GB/s
1,769.9
9.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2404
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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