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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
15.7
14.4
写入速度,GB/s
9.8
7.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
2236
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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