RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сравнить
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB против Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Средняя оценка
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.7
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2388
2236
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung 9905428-095.D00LF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link