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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
15.7
18.4
写入速度,GB/s
9.8
16.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
3825
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
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