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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
4,217.2
10.0
写入速度,GB/s
1,857.7
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2575
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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