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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
10.9
16.7
写入速度,GB/s
8.7
14.8
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3284
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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