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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
15.7
16.6
写入速度,GB/s
9.8
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
2947
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
UMAX Technology 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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