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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
28
读取速度,GB/s
2,929.1
14.2
写入速度,GB/s
2,978.2
10.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2527
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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