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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
15.7
14.4
写入速度,GB/s
9.8
8.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
2489
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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