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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
15.7
9.6
写入速度,GB/s
9.8
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
2286
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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Kingston 9905712-009.A00G 16GB
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