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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
比较
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
总分
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
85
左右 68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
85
读取速度,GB/s
13.3
11.3
写入速度,GB/s
8.3
6.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2320
1118
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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