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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
51
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
51
读取速度,GB/s
13.3
10.4
写入速度,GB/s
8.3
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2320
2387
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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