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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
10.4
14.5
写入速度,GB/s
7.8
7.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2361
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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