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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
比较
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
总分
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
12.2
19.0
写入速度,GB/s
8.2
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2128
3683
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
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