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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
27
读取速度,GB/s
8.9
17.8
写入速度,GB/s
5.9
15.3
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3366
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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