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Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
比较
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
总分
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.8
12.6
写入速度,GB/s
8.6
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2187
2759
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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