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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
58
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
50
读取速度,GB/s
4,241.0
13.5
写入速度,GB/s
1,950.7
8.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2424
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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