RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
58
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2424
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Mushkin 991586 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link