RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
95
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
95
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1518
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link