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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
16.1
16.5
写入速度,GB/s
10.1
14.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3414
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
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