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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
12.2
19.0
写入速度,GB/s
7.2
14.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
3671
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
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