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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
60
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
60
读取速度,GB/s
12.2
15.3
写入速度,GB/s
7.2
11.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
2359
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
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