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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
13.9
18.6
写入速度,GB/s
8.6
15.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3741
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
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A-DATA Technology DDR4 4133 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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