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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
75
左右 -108% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
36
读取速度,GB/s
3,986.4
10.4
写入速度,GB/s
2,036.1
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2587
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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