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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
75
左右 -142% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
31
读取速度,GB/s
3,986.4
11.8
写入速度,GB/s
2,036.1
10.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2605
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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