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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
75
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
33
读取速度,GB/s
3,986.4
16.7
写入速度,GB/s
2,036.1
10.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2876
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
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