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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
65
75
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.5
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.8
2,036.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
65
读取速度,GB/s
3,986.4
8.5
写入速度,GB/s
2,036.1
5.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
1981
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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