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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
75
左右 -150% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.6
2,036.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
30
读取速度,GB/s
3,986.4
13.5
写入速度,GB/s
2,036.1
6.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
1338
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
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