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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.3
18.3
写入速度,GB/s
9.1
14.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3442
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
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