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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs INTENSO 5641162 8GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
INTENSO 5641162 8GB
差异
规格
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
INTENSO 5641162 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.3
16.2
写入速度,GB/s
9.1
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2799
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM的比较
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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