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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.3
16.7
写入速度,GB/s
9.1
11.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2870
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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