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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.3
13.8
写入速度,GB/s
9.1
6.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
1844
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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