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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 54% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
59
读取速度,GB/s
13.3
17.3
写入速度,GB/s
9.1
7.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
1954
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM的比较
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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